Description

Présentation du produit

Fabriqués sur un substrat de silicium monocristallin de type N, nos modules PV de type N mettent en œuvre une architecture de cellule arrière d'émetteur passivé (PERC) augmentée de revêtements antireflet avancés. En utilisant une plaquette de silicium de type N riche en électrons au lieu du type P traditionnel, nous créons des cellules solaires avec un potentiel de tension plus élevé et des rendements de conversion supérieurs à 22 %.

Nos modules PV de type N intègrent ces cellules au silicium optimisées de type N avec des innovations de modules intelligents de pointe. Les capteurs intégrés suivent activement les performances du système tandis que les deux optimiseurs de puissance extraient jusqu'à la dernière goutte d'énergie disponible. Des cadres robustes de qualité marine, des boîtiers IP68 et un régime de tests rigoureux garantissent un fonctionnement durable et fiable pendant plus de 30 ans. Les déploiements sur le terrain dans le monde entier valident la supériorité de nos modules de type N par rapport aux systèmes conventionnels de type P.

Des facteurs de biface élevés certifiés, un excellent comportement en basse lumière, une résilience supérieure aux points chauds et des taux de dégradation inférieurs de plus de 30 % démontrent les avantages concrets que nos modules de type N offrent pour un rendement énergétique à long terme. Avec une densité de puissance éprouvée sur le terrain, Avantages en matière d'efficacité, de sécurité et de durée de vie, nos modules PV de type N représentent la référence de l'industrie, rendant l'énergie solaire plus rentable et accessible que jamais. Libérez tout le potentiel de vos actifs photovoltaïques grâce à notre technologie de pointe de type N qui établit la nouvelle norme solaire.

Cellules solaires	Monocristallin
Nombre de cellules	132 cellules
Dimensions des modules	2384×1303×33 mm
Poids	38,3 kg (84,4 livres)
Verre	2.0 mm (0,08 pouces) transmission élevée. Verre renforcé à la chaleur avec revêtement AR
Matériau d'encapsulation	EVA/POE
Cadre	Alliage d'aluminium anodisé de 30 mm (1,18 pouces)
J-Box	Classé IP 68
Câbles	Câble de technologie photovoltaïque 4.0mm²(0,006 pouces²), Portrait : 350/280 mm (13,78/11,02 pouces) La longueur peut être personnalisée
Connecteur	MC4 EVO2 / TS4 PLUS / TS4*

détails du produit

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W description

Paramètres mécaniques

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W parameter

Principales caractéristiques

Mesures de performances inégalées
Ces modules novateurs de type N dépassent les limites d'efficacité existantes grâce à des architectures cellulaires repensées qui transforment chaque photon en énergie utile. Nous atteignons des rendements de panneaux réels rivalisant avec les prototypes de laboratoire les plus sophistiqués.

Des assurances de fiabilité époustouflantes
Grâce à une sélection rigoureuse de composants, des tests de résistance AQT rigoureux et des analyses prédictives éclairant la conception, nous avons conçu le générateur d'énergie le plus rentable de l'industrie, prêt à capter les gains solaires pendant plus de 30 années ininterrompues.

L'intelligence incarnée
Notre concept pionnier de module intelligent intègre des capteurs ambiants, des systèmes de sécurité et des optimiseurs de puissance doubles dans chaque panneau pour une récupération d'énergie adaptative à la scène et alignée sur les besoins du réseau ou des applications. Bienvenue dans l’avenir des panneaux solaires conscients de soi.

Raffinement cristallin perfectionné
Tirant parti du silicium ultra-pur de type N et de techniques de dopage de précision perfectionnées au fil des décennies, nos cellules monocristallines manifestent les limites théoriques de la conversion photovoltaïque en puissances de panneaux tangibles jamais possibles auparavant.

Certificats de produits

Trina vertex S certificates

L'emballage du produit

Vertex S solar panel packaging

Processus de production

Trina Vertex S production process

FAQ

Q : Quelles sont les différences entre le silicium de type N et le silicium de type P ?
R : Le silicium de type N et de type P sont deux types différents de matériaux semi-conducteurs. Le silicium de type N a une concentration électronique plus élevée que le silicium de type p, ce qui signifie qu’il dispose de plus d’électrons libres pour conduire l’électricité. Cette différence de concentration électronique conduit à un certain nombre d’avantages pour les modules PV de type N, comme mentionné dans la section précédente.

Q : Comment sont fabriqués les modules photovoltaïques de type N ?
R : Les modules PV de type N sont fabriqués à l'aide d'un processus similaire au processus utilisé pour fabriquer des modules PV de type P. Il existe cependant quelques différences clés. Premièrement, les plaquettes de silicium utilisées pour fabriquer les modules de type N doivent être dopées avec des impuretés de type N, telles que le phosphore ou l'arsenic. Deuxièmement, le processus de métallisation utilisé pour créer les contacts électriques sur les modules doit être conçu pour tenir compte des différentes propriétés électriques du silicium de type N.

Q : Quelles sont les perspectives d’avenir pour les modules photovoltaïques de type N ?
R : Les modules photovoltaïques de type N constituent une nouvelle technologie prometteuse qui a le potentiel d’améliorer l’efficacité, la durée de vie et la rentabilité de l’énergie solaire. À mesure que la technologie continue de mûrir, les modules de type N seront probablement plus largement adoptés.

Q : Quels sont les défis auxquels sont confrontés les modules photovoltaïques de type N ?
R : L’un des principaux défis auxquels sont confrontés les modules photovoltaïques de type N est le coût de fabrication plus élevé. Cela est dû aux étapes supplémentaires nécessaires au dopage des tranches de silicium et à la conception du processus de métallisation. Un autre défi est le manque de données à long terme sur les performances et la fiabilité des modules de type N. À mesure que davantage de données seront disponibles, ces défis seront probablement résolus.

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Modules photovoltaïques de type N